實驗設備

原子層沉積TAUR ALD L-100 Standard

TAUR ALD L系列設備系統是一款獨立可控制的薄膜生長設備,全自動工藝控制并包含完整的安全聯鎖功能,能夠沉積半導體應用中的氧化物(AI O ,ZRO ,LAO ,HFO ),支持石墨烯和新型二維材料的光電和電子器件、太陽能、MEMS等眾多領域的應用。
系統包含一個13”的鋁質反應腔體,具有加熱保溫腔壁。可以支持最多5路加熱或冷卻的50CC/100CC容器用于前驅體或者反應物,并集成了快速脈沖傳輸閥(swagelok專用閥)用于氣體脈沖輸出。沒有反應掉的前驅體將被加熱過濾器(熱阱)所捕捉,該過濾器安裝在墻體排風口。
工藝程序、工藝參數、溫度設定、氣體流量、抽真空卸真空工序,以及傳輸管路的吹掃均通過軟件實現全自動控制。

技術特性:
  • ALD沉積均勻性<1%
  • 優化的13“陽極氧化鋁腔體
  • 小反應腔體容積確保快速的循環時間并提高質量
  • 最大可支持8”的基片
  • 500°C基片加熱器
  • 最多支持5路50cc/100cc前驅體容器
  • 快速脈沖脈沖氣體傳輸閥
  • 大面積過濾器用于捕捉并處理未翻譯的前驅體
  • 高深寬比結構的保形生長
  • 菜單驅動友好用戶界面
 
襯底尺寸和類型:
  • 50–200 mm /單片
  • 156 mm x 156 mm 太陽能硅片
  • 3D 復雜表面襯底粉末與顆粒(配備擴散增強器)
  • 多孔,通孔,高深寬比(HAR,1:2500)樣品
 
 工藝溫度:
50°C– 500°C, 可選更高溫度;真空腔體外壁不用任何冷卻方式即可保持溫度低于60°C)
典型工藝:
Al2O3, TiO2, SiO2, Ta2O5, HfO2, ZnO, ZrO2, AlN, TiN,金屬 Pt 或 Ir 等
基片傳送選件
  • 氣動升降(手動裝載)
  • 預真空室安裝磁力操作機械手(Load lock )
 
前驅體:
  • 液態、固態、氣態、臭氧源
  • 5根獨立源管線,最多加載6個前驅體源
  • 對蒸汽壓低的前驅體(1mbar~10mbar),用氮氣等載氣導入前驅體瓶內引出
 選件:
 擴散增強器,集成橢偏儀,QCM,RGA,N2發生器,尾氣處理器,定制設計,手套箱集成(用于惰性氣體下裝載)


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