生產設備

ALD原子層沉積系統(P-300F)


PicosonP-300F ALD系統專門設計用于生產微處理器、存儲器和硬盤等IC組件,以及制造電力電子、混合信號和MEMS設備(如打印頭、傳感器和麥克風)。

技術特點:

典型基板尺寸和類型:

·         200 mm晶圓,每批最多50

·         150 mm晶圓,每批最多50

·         100 mm晶圓,每批最多50

·         基底材料:Si、玻璃、石英、SiCGaNGaAsLinBo3LiTaO3InP

 

工藝溫度及效率:

·         50 – 300°C

·         1000 / 24 hours @ 15 nm Al2O3 厚度

典型工藝:

·         Al2O3, SiO2, Ta2O5, HfO2, ZnO, TiO2, ZrO2, and metals

·         均勻度 <1% 1σ (Al2O3, WIW, WTW, B2B, 49 pts, 5mm EE)

基板加載:

·         使用真空集束工具和垂直翻轉功能完全自動加載

·         通過picoplatform200真空集束系統進行片盒到片盒批量加載

·         可選SMIF

前驅體:

·         液體、固體、氣體、臭氧

·         共六管,最多可配備十管

PicosonP-300 ALD系統已成為大批量ALD制造的新標準。我們可以創造出具有優異的產量、低顆粒水平和優異的光電性能的高品質ALD薄膜。靈活的設計,易于快速維護,確保系統停機時間最少,擁有成本最低。我們專有的Picoflow™擴散增強技術可在超高寬高比基板上實現高保形涂層,生產過程經過驗證。

PicosonP-300F ALD系統代表了工業ALD的前沿。該系統設計用于與工業標準單晶圓真空集束平臺相結合的晶圓批量全自動處理。SEMI S2/S8認證的P-300F ALD系統可通過SECS/GEM選項集成到工廠自動化中。

PicosunP-300FIC創新驅動行業的ALD系統選擇。

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