檢測設備

真空探針臺

高低溫真空探針臺
 
  • 產品型號   CGO系列
  • 產品描述
高低溫真空探針臺,溫度范圍可選(4K-480K),適用于真空高低溫環境下樣品測試。 PS:探針臺屬于非標產品,均可根據客戶需求進行定制。

極低溫測試:

因為晶圓在低溫大氣環境測試時,空氣中的水汽會凝結在晶圓上,會導致漏電過大或者探針無法接觸電極而使測試失敗。避免這些需要把真空腔內的水汽在測試前用泵抽走,并且保持整個測試過程泵的運轉。


高溫無氧化測試:

當晶圓加熱至300℃,400℃,500℃甚至更高溫度時,氧化現象會越來越明顯,并且溫度越高氧化越嚴重。過度氧化會導致晶圓電性誤差,物理和機械形變。避免這些需要把真空腔內的氧氣在測試前用泵抽走,并且保持整個測試過程泵的運轉。 

晶圓測試過程中溫度在低溫和高溫中變換,因為熱脹冷縮現象,定位好的探針與器件電極間會有相對位移,這時需要針座的重新定位,針座位于腔體外部。我們也可以選擇使用操作桿控制的自動化針座來調整探針的位置。

整體規格:
載物Chuck溫度范圍:4.2K-480K 外置4個定位針臂 探針X-Y-Z三方向移動,行程:25mm,定位精度:10微米 最多可以外置6個定位針臂 載物chuck 最大可到2寸 雙屏蔽chuck高低溫時達到100FA的測試精度,針臂定位精度可以升級為0.7微米, 極限真空到10-8 torr, 可以選擇射頻配件做最高67 GHz的射頻測試,可以選擇防震桌,可以選擇超高真空腔體。

溫控規格:

控溫范圍:4K-480K

控溫精度:0.1K

溫度穩定性:4K  + - 0.2 K 

      77K  + - 0.1 K

      373K + - 0.08 K

      473K + - 0.1 K

      823K + - 0.2K(可選)

      973K + - 1.0K(可選)

常溫到8K冷卻時間: 1小時40分鐘

8K到常溫升溫時間: 1小時30分鐘

從常溫開始的升溫時間:200℃ 550℃ 700℃ 

(4chuck,單位分:秒)100   130   200

電源:直流

材質:不銹鋼

功率(4chuck)850W

 

機械規格:

針座行程

X軸方向:25.4mm(1 inch) 可以選擇50.8mm 

Y軸方向:25.4mm(1 inch) 可以選擇50.8mm

Z軸方向:25.4mm(1 inch) 可以選擇50.8mm

 

移動精度:

X軸方向:10 micron,可以選擇0.35,0.7,5,10 or 20 micron

Y軸方向:10 micron,可以選擇0.35,0.7,5,10 or 20 micron

Z軸方向:10 micron,可以選擇0.35,0.7,5,10 or 20 micron

探針可旋轉角度:+-5


光學部件規格:


顯微鏡X-Y軸方向行程:2"*2",可以選擇4"*4"

總共放大倍率:240X,可以選擇更高倍率

真空腔觀察窗口:2 inch外部石英材質99%紅外線穿過率,內部吸收紅外線僅可見光通過

光源:150W可連續調節,雙光纖導引


可選附件:

防震桌,方形chuck,分子泵組,Chuck可外部移動裝置,射頻附件,客戶定制。

 

 

 

 

 

 



 




 

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